第5回インテリジェント・ナノプロセス研究会
毎年恒例となりましたインテリジェントナノプロセス研究会ですが、12月16日(金)に開催致しました。
今年は第5回目であり、5周年の記念の回になります。
本年はカーエレクトロニクスについての基調講演をして頂き、その後超LSI、MEMS、
GaN、カーボンナノチューブなどの最先端デバイスおよびプロセスのお話をして頂きました。
今年も各分野の動向と最近の研究・話題について貴重なお話をして頂いて、
各発表後のQ&Aの時間ならびに懇親会会場にて活発な議論が交わされていました。
懇親会終了後には寒川先生と講演者の皆様で今年で20回を向かえる
SENDAI光のページェントを見に行かれたようです。
とてもきれいだったとおっしゃっていました。
講演プログラム
講演の様子
懇親会の様子
光のページェント
<講演の様子>

「車載エレクトロニクスの現状と将来」
ケーヒン(株) 取締役 入野博史

「超先端半導体デバイスにおける多層配線技術の現状と将来展望」
広島大学 教授 吉川公麿

「RF MEMSデバイスの動向と携帯端末機への応用展開」
立命館大学 教授 鈴木健一郎

「GaNデバイスの現状と今後の展望」
徳島大学 教授 大野泰夫

「カーボンナノチューブFETの現状と今後の展望」
NEC 基礎・環境研究所 主任研究員 二瓶史行

「プロセスにより誘起されるシリコン半導体デバイスの特性劣化と今後の取り組み」
京都大学 助教授 江利口浩二

「中性粒子ビーム加工による高移動度シリコンFin FETの開発」
産業技術総合研究所 研究員 遠藤和彦、東北大学 教授 寒川誠二

「タイムモジュレーションプラズマを用いた次世代不揮発メモリ/MRAM対応エッチング開発」
NEC システムデバイス研究所 主任 向井智徳、東北大学 教授 寒川誠二

「近接場ラマン分光を用いた分子イメージング」
大阪大学 助教授 井上康志

「ナノスケールシミュレーション:エッチングにおける表面原子過程の分子動力学法による解明」
大阪大学 教授 浜口智志
<懇親会の様子>



<光のページェント>

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