中性粒子ビームによるフィン型ダブルゲートＭＯＳＦＥＴの作製について新聞に掲載
次世代のＭＯＳＦＥＴとして注目されているフィン型ダブルゲートＭＯＳの製作において、 中性粒子ビームを用いてエッチングすることでチャネル部分の表面が平坦化され、電子移動度が 30％上昇するという研究成果が日刊工業新聞と日経産業新聞に掲載されました！！
新聞記事（ＰＤＦファイル）
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