日刊工業新聞に「低誘電と硬度両立 32ナノLSI向け絶縁膜で新手法」が掲載！
日刊工業新聞に「低誘電と硬度両立 32ナノLSI向け絶縁膜で新手法」が掲載されました。
東芝、ソニーなど半導体メーカー民間11社が出資する半導体理工学研究センター
（スターク、横浜市）と共同で、次世代LSIの配線部に使う誘電率の低い高機能絶縁膜
を作製する新手法を開発しました。従来と同じ原料ガスを用いながら、新たに低エネルギー
の中性粒子ビームを照射するという画期的な手法で低誘電率と高い硬度を世界で初めて両立する
ことに成功しました。半導体各社は2013年の実用化を狙う32ナノメートル世代（ナノは10億分の1）
の微細LSIから誘電率2.2の技術を導入しますが、そのための技術として極めて有望であります。
米カルフォルニア州で開催中の配線技術分野では世界最高峰の国際配線技術会議IITCで２日に発表
します。
新聞の記事（ＰＤＦファイル）
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