グリーンナノテクノロジー研究分野

次世代ナノスケールデバイスにおける高精度ナノプロセスを目指し、プラズマプロセス、ビームプロセスや原子操作プロセスにおける活性種（電子、正負イオン、原子・分子、ラジカル、フォトン）と物質との相互作用（エッチング、薄膜堆積、表面改質）に関する研究や、これら原子分子プロセスに基づいた先端バイオテンプレート極限加工技術に関する研究を進めています。さらに、実験と計算（シミュレーション）を融合し、原子層レベルの制御を実現できるインテリジェント・ナノプロセスの構築を目指しています。

2 nm世代向けのSi/Ge異種チャネル集積プラットフォームの構築

我々が開発した中性粒子ビームエッチング技術を用いて、無欠陥原子・分子レベルの高精度ナノ加工技術によって、2 nm世代向けのSi/Ge異種チャネルプラットフォームを、日本-台湾間で構築しました。中性粒子ビームと最先端の半導体プロセスを組み合わせることで、集積回路の3次元化による高集積化により、大幅な集積化とデバイスの高速化を目指して研究を行っています。

ナノデバイス・システムオンチップ (SoC) 実現のための研究

超低損傷中性粒子ビームエッチング技術を用いて、異種材料・異種デバイスのハイブリッド化を達成するために、低消費電力のSi (Ge) MOSFETドライバを用いて高効率な高パワーGaN HEMTを3次元ボンディング技術を用いて一つの基板に設計して、動作させる研究を行っています。そして、最終的には異種材料デバイスによる省電力SoCの実現を目指しています。