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2022.01.28

台湾国際ジョイントラボ研究成果が難関国際会議IEEE International Electron Device Meetingで3年連続採択

東北大学(寒川研究室)、台湾国立陽明交通大学、台湾半導体研究センター(TSRI)の連携(台湾国際ジョイントラボ)による
IGZO/Si CFETに関する研究成果論文が国際会議IEDM(IEEE International Electron Device Meeting)に採択され、12月15日に発表を行いました。

本国際会議は、半導体や電子デバイスに関する世界最大規模の会議の一つで、採択率が低いことでも知られています。
本会議での発表は3年連続となり、研究成果の高さを示していると考えられます。

【発表論文】
S.-W.Chang, T.-H. Lu , C.-Y.Yang, C.-J. Yeh, M.-K. Huang, C.-F. Meng,P.-J. Chen, T.-H. Chang,
Y.-S. Chang,J.- W. Jhu, T.-Z. Hong, C.-C. Ke, X.-R.Yu, W. -H. Lu, M. A. Baig, T.-C. Cho, P.-J. Sung,
C.-J.Su, F.-K. Hsueh, B.-Y. Chen, H.-H. Hu, C.-T. Wu, K.-L. Lin, W. C.-Y. Ma, D.-D. Lu, K.-H. Kao,
Y.-J. Lee, C.-L. Lin, K.-P. Huang, K.- M. Chen, Y. Li, S. Samukawa, T.-S. Chao, G.-W. Huang,
W.-F. Wu, W.-H. Lee, J.-Y. Li, J.-M. Shieh, J.-H. Tarng, Y.-H.Wang, W.-K. Yeh,
“First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration with Dual Work function Gate for Ultra Low-power SRAM and RF Applications”,
IEEE 2021 International Electron Device Meeting, 34.4 (Virtual Meeting, 2021/12/15).


東北大学、台湾国立陽明交通大学、台湾半導体研究センター(TSRI)の連携による研究成果の軌跡。
IEEE IDEMで3連続発表された成果(nanosheetとCFET)をまとめている。

【問い合わせ先】
国際ジョイントラボラトリー副ラボラトリー長
寒川 誠二 教授

https://www.ifs.tohoku.ac.jp/samukawa/japanese/index.html