今や半導体関連技術は、欠くことのできない基礎技術として再注目を集めております。当研究分野では、この半導体関連技術の中でも、Beyond 2nm 先端半導体の実現に向けた、新プロセス新材料・新規成膜手法・新構造導入による性能向上と技術限界の打破を目指しております。

Beyond 2nm 先端半導体や量子デバイスのための新材料プロセス

新構造や新材料の導入による Beyond 2nm 先端半導体の実現のために、以下の研究を行っております。

• ゲートスタック形成や仕事関数制御を含む新しチャネル材料の界面工学
• 超伝導量子ビットやシリコン量子ビットなどの量子デバイスの作製技術
• 新材料新構造配線やコンタクト技術

先端ナノデバイス作製のための原子層プロセス

原子層堆積や原子層エッチングやなど、先端ナノデバイスのための原子レベルのプロセスと酸化反応の研究を行っております。

• 半導体表面の原子レベル反応解析と加工堆積技術
• 半導体表面および機能性薄膜の酸化メカニズム解明