SAMUKAWA Lab Green Nanotechnology Lab.,Innovative Energy Research Center, Institute of Fluid Science, Tohoku University(Previous: Intelligent Nano-Process Lab.)

2014 VLSI Technology Symposiumにて錯体反応によるＭＲＡＭ用磁性体・遷移金属エッチングについて発表

寒川先生と東京エレクトロンは中性粒子ビームプロセスにおける原子層レベル欠陥制御を生かして、遷移金属や磁性体の錯体反応を実現し、遷移金属や磁性体の純粋な化学反応を室温で実現する方法を世界で初めてVLSI Technology Symposiumで発表いたしました。聴衆からは大きな反響があり、発表者の東京エレクトロン・谷さんや私に問い合わせが殺到しました。また、多くの方 から賛辞を頂きました。これをきっかけに是非とも中性粒子ビームの実用化に向けて加速を行いたいと思います。

2014年6月11日　日経産業新聞にも掲載されました。