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寒川先生、IEDM2015にProgram Committeeとして参加。台湾交通大學、台湾国立ナノデバイス研究所と連名で２件の発表
寒川先生は１２月６日～１０日の期間、ワシントンで開催された半導体デバイスにおける世界最高峰のIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2015)にCommitteeとして参加すると共に、昨年度より連携している台湾交通大學、台湾国立ナノデバイス研究所と連名で２件の論文を発表した。IEDMに参加している国内外の多くのデバイス研究者に寒川先生の研究の世界展開を印象づける機会となった。今後、ますます台湾との連携を強化し、寒川先生の技術を世界に発信していくことが期待されます。
（IEDMでの発表論文）
Diamond-shaped Ge and Ge0.9Si0.1 Gate-All-Around Nanowire FETs with Four {111} Facets by Dry Etch Technology
Yao-Jen Lee, Fu-Ju Hou, Shang-Shiun Chuang, Fu-Kuo Hsueh, Kuo-Hsing Kao, Po-Jung Sung, Wei-You Yuan, Jay-Yi Yao, Yu-Chi Lu, Kun-Lin Lin, Chien-Ting Wu, Hisu-Chih Chen, Bo-Yuan Chen, Guo-Wei Huang, Henry J. H. Chen, Jiun-Yun Li, Yiming Li, Seiji Samukawa, Tien-Sheng Chao, Tseung-Yuen Tseng, Wen-Fa W, Tuo-Hung Hou, and Wen-Kuan Yeh
High Performance Poly Si Junctionless Transistors with Sub-5nm Conformally Doped Layers by Molecular Monolayer Doping and Microwave Incorporating CO2 Laser Annealing for 3D Stacked ICs Applications
Yao-Jen Lee, Ta-Chun Cho, Po-Jung Sung, Kuo-Hsing Kao, Fu-Kuo Hsueh, Fu-Ju Hou, Po-Cheng Chen, Hsiu-Chih Chen, Chien-Ting Wu, Shu-Han Hsu, Yi-Ju Chen, Yao-Ming Huang, Yun-Fang Hou, Wen-Hsien Huang, Chih-Chao Yang, Bo-Yuan Chen, Kun-Lin Lin, Min-Cheng Chen, Chang-Hong Shen, Guo-Wei Huang, Kun-Ping Huang, Michael Current , Yiming Li, Seiji Samukawa, Wen-Fa Wu, Jia-Min Shieh, Tien-Sheng Chao, Wen-Kuan Yeh
