Rzhanov Institute of Semiconductor PhysicsのDr. N.P.Stepinaが共同研究で1週間滞在(2016/6/6-10)
Siberian Branch of Russian Academy of SciencesのRzhanov Institute of Semiconductor PhysicsのシニアリサーチャーDr. N.P.Stepinaが寒川研究室に公募共同研究で1週間滞在し、シリコンおよびゲルマニウム量子ドットの光学的、電気的、スピン的物理測定を行うための試料を作製した。共同実験に当たっては野田特任助教およびザマン研究員が対応し、大変に有意義な実験ができたようである。今回作製したサンプルをロシアに持ち帰り、再成長や表面処理を行った後、各種分性評価を行う予定である。
ロシアは基礎物理が大変強い国で、半導体物理もポテンシャルが高い。応用が強い寒川研究室とロシアの半導体物理学研究所が組むことで大変深い研究が実現できる可能性がある。今回は最初のトライであるが、今後末永く連携していくことで、今回の滞在は終了した。週末は山寺を訪ねて、ロシアに帰国するようです。今後の展開に大いに期待しましょう。