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寒川先生、IEEE IEDMにプログラム委員として参加、台湾との連携研究を発表（2016/12/4～7）
寒川先生は１２月４日～７日開催された世界最高峰の半導体デバイス国際会議にプログラム委員として参加するとともに、台湾との連携で大きな成果を挙げた成果の発表を行い、大きな反響を受けました。
寒川先生はショートコースから参加し、最新のデバイス開発状況を調査しました。デバイス開発は既に５nm前後になってきており、3nm以降のデバイス開発も既にターゲットになっているスピードの速さを感じた様です。また、その世代では新材料が目白押しで、次世代ゲルマニウムと２次元材料が注目を集めました。いずれも表面界面欠陥制御が求められており、益々中性粒子ビームの重要性が増してきています。台湾交通大学、台湾国立ナノデバイス研究所との共同研究成果はその中でも6nm Ge Fin FETの完成版として注目を浴び、多くの質問が出ました。特に量子効果に関する質問が多かったようです。
寒川先生は期間中には各種ワークショップにも参加し、大いに情報交換しました。また、先生の教え子である東京エレクトロンアメリカの大竹君、ラムリサーチの石川君にも会うことができ、先生は大変嬉しいひとときを過ごしました。二人ともアメリカで大活躍で役職もどんどんアップしています。最後に何といっても最大の喜びは台湾国立交通大学の学生Tonyが私共の共同研究成果を素晴らしい発表で講演できたことです。台湾でも寒川先生の指導を受けた学生が活躍し始めたということです。
今回のＩＥＤＭを通して中性粒子ビームの威力を確実に示すことができたことと、台湾との連携を深めることができたことは大きな成果でありました。
