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２０３回応用物理学会シリコンテクノロジー研究集会「窒化物半導体パワーデバイスの研究動向」が開催（2017/11/16）
寒川先生が委員長を務める応用物理学会シリコンテクノロジー分科会シリコンナノテクノロジー委員会主催の研究集会が１１月１６日産業技術総合研究所臨海副都心センターにて開催されました。窒化物半導体における基板堆積技術、エッチング技術、デバイス技術、回路技術の最新動向が議論されました。
寒川先生は本研究集会のイントロダクトリートークを行い、最先端デバイスにおけるプロセスの低温化、低損傷化に関して講演されました。また、東工大・今岡先生、東京エレクトロン・菊池さんより、東北大・谷川先生からはGaN堆積技術が、名古屋大学・加地先生、東北大・末光先生からはデバイス技術、NTT清水さんより集積化回路技術について講演がありました。
活発な議論が交わされ、今後のGaNデバイスにはプロセス技術のブレークスルーが極めて重要であることが分かった。
