研究室紹介
行事
寒川先生、CSMANTEC 2018にて招待講演
寒川先生は5月7日～10日の期間、米国オースチンで開催された化合物半導体製造技術に関する国際会議｢2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology｣(CSMANTEC 2018)にて、招待講演を行いました。
化合物半導体はGaN LEDやGaN HEMTを中心に、日本がまだ世界に対抗できる技術分野であります。この学会は製造技術に特化しており、デバイスメーカーのみならず多数の装置メーカーも参加する極めて活発で実践的な学会です。その分野でも微細化が進み、いよいよプラズマダメージが重要な問題になってきており、寒川先生はプラズマダメージのメカニズムから中性粒子ビームまで詳しく講演され、聴衆より大変な反響を頂きました。
中性粒子ビーム技術はどんな材料にも展開でき、既に複数の化合物半導体デバイス上でその効果を実証できていることも反響のあった要因で、あらためて中性粒子ビームの基盤技術としての強さが浮き彫りになりました。
日本の技術を世界に発信し続けてきた寒川先生の努力が少しづつ報われてきていることを実感させてくれました。５月９日の寒川先生の講演の後、日本人参加者による懇親会が開催され、日本の半導体技術の今後の在り方に関して大いに語り、盛り上がりました。
