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IEEE IEDM2019にて、寒川先生、台湾半導体研究所および国立交通大学と共同で論文発表
１２月８日～１１日の期間、寒川先生はIEEE IEDM2019に参加され、台湾グループと共同でナノシートに関する論文発表を行いました。
「11.7 First Demonstration of CMOS Inverter and 6T-SRAM Based on GAA CFETsStructure for 3D-IC Applications 」
S.-W. Chang, P.-J. Sung, T-Y. Chu, D. D.Lu, C. -J. Wang, N.-C. Lin, C.-J. Su, S.-H. Lo, H.-F. Huang, J.H. Li, M.-K.Huang, Y.-C. Huang, S.-T. Huang, H.-C. Wang, Y.-J. Huang, J.-Y. Wang, L.-WYu, Y.-F. Huang, F.-K. Hsueh, C.-T. Wu, W. C.-Y. Ma, K.-H. Kao, Y.-J. Lee,C.-L. Lin, R.W. Chuang, K.-P. Huang, S. Samukawa, Y. Li, W.-H. Lee, T.-S.Chao, G.-W. Huang, W.-F. Wu, J.-Y. Li, J.-M. Shieh, W. -K. Yeh, Y.-H. Wang,
大変反響があり、多数の質問があり、発表終了後にも質問が相次ぎました。日本国内では実現できない最先端の製造技術を用いた研究であり、国立交通大学との研究連携の優位性を示すことができた発表であった。
また、初日のプレナリーセッションではフローティングゲートメモリの発明者であるスタンフォード大学Simon Sze先生とお会いし、ランチを共にして将来展望に関して意見を交換をすることができた。寒川先生にとっては世界最先端の学会での発表および議論を通して、将来展望を議論できた大変有意義な時間だったようです。
