SAMUKAWA Lab Green Nanotechnology Lab.,Innovative Energy Research Center, Institute of Fluid Science, Tohoku University(Previous: Intelligent Nano-Process Lab.)

寒川先生、基盤研究Sに採択！

　寒川先生が代表で、産総研・遠藤先生、東大・野村先生、宮崎大学・福山先生と共同で提案していた「無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子」が科研費の最高峰である基盤研究Sに採択されました。
　本提案では、第４のtechnology boosterとして、周期的で無欠陥な半導体ナノピラーをマトリックス材料で埋め込んだ複合構造の導入を提案しています。これにより材料やナノピラーサイズ、間隔によってキャリアのフォノン散乱を抑制し、移動度の劇的な向上と発熱の少ないトランジスタチャネル層が実現可能となる。このtechnology boosterを50nm程度のプレーナー型トランジスタに適用し、10nm程度のFin型トランジスタを凌駕する特性を実証します。