寒川先生代表の基盤研究Sの研究内容が公開されました
研究課題名 「無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子」 基盤研究（S) 大区分C 課題番号20H05649 キーワード：中性粒子ビーム、無欠陥ナノ周期構造、フォノン場抑制、フォノン散乱抑制、発熱緩和
http://www.jsps.go.jp/j-grantsinaid/12_kiban/ichiran_r02/shinki.html
研究概要
