IEEE IEDMで産総研、国立交通大学、TSRIと共同で「2nm世代向けの新構造トランジスタの開発」を発表
12月12日~16日の期間にオンラインで開催される半導体分野における世界最高峰の国際会議IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)において産総研、東北大、交通大学、TSRIによる共同研究プロジェクト(JST-MOSTプロジェクト)における成果「2nm世代向けの新構造トランジスタの開発」が採択され、12日に発表されます。この成果においても中性粒子ビームが大きな役割を果たしており、中性粒子ビームの必要性を強くアピールする結果となりました。