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日台連合にて、最先端IGZO/Si CFETをIEDMで発表！
東北大学(寒川研究室)、台湾国立陽明交通大学、台湾半導体研究センター(TSRI)の連携で、今年もIEDMに採択され、12月15日に発表を行いました。３年連続の快挙です。
S.-W.Chang, T.-H. Lu , C.-Y.Yang, C.-J. Yeh, M.-K. Huang, C.-F. Meng,P.-J. Chen, T.-H. Chang, Y.-S. Chang,J.- W. Jhu, T.-Z. Hong, C.-C. Ke, X.-R.Yu, W. -H. Lu, M. A. Baig, T.-C. Cho, P.-J. Sung, C.-J.Su, F.-K. Hsueh, B.-Y. Chen, H.-H. Hu, C.-T. Wu, K.-L. Lin, W. C.-Y. Ma, D.-D. Lu, K.-H. Kao,Y.-J. Lee, C.-L. Lin, K.-P. Huang, K.- M. Chen, Y. Li, S. Samukawa, T.-S. Chao, G.-W. Huang, W.-F. Wu, W.-H. Lee, J.-Y. Li, J.-M. Shieh, J.-H. Tarng, Y.-H.Wang, W.-K. Yeh, “First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration with Dual Work function Gate for Ultra Low-power SRAM and RF Applications”, IEEE 2021 International Electron Device Meeting, 34.4 (Virtual Meeting, 2021/12/15).
